NCV5106ADR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.74 грн |
| 10+ | 160.27 грн |
| 25+ | 138.32 грн |
| 100+ | 107.15 грн |
| 250+ | 96.28 грн |
| 500+ | 89.7 грн |
| 1000+ | 82.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV5106ADR2G onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції NCV5106ADR2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NCV5106ADR2G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NCV5106ADR2G | Виробник : ON Semiconductor |
High Voltage, High and Low Side Driver |
товар відсутній |
|
|
|
NCV5106ADR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
| NCV5106ADR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DRIVER |
товар відсутній |
||
 |
NCV5106ADR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DRIVER |
товар відсутній |