![NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/326/488;-751B-05;-D,-VD,-FD;-16.jpg)
NCV1413BDR2G onsemi
![mc1413-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 7 NPN Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.48 грн |
5000+ | 18.06 грн |
12500+ | 17.37 грн |
25000+ | 16.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV1413BDR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.
Інші пропозиції NCV1413BDR2G за ціною від 17.91 грн до 63.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 50V Number of channels: 7 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry; for inductive load Input voltage: 30V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: IC: driver; darlington,transistor array; SO16; 0.5A; 50V; Ch: 7 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: darlington; transistor array Case: SO16 Output current: 0.5A Output voltage: 50V Number of channels: 7 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: automotive industry; for inductive load Input voltage: 30V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 7 NPN Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Supplier Device Package: 16-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active |
на замовлення 38867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA |
на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV1413BDR2G Код товару: 176359 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NCV1413BDR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |