NCS20092DR2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 23µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.15V/µs
Gain Bandwidth Product: 350 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 8.5 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 23µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.15V/µs
Gain Bandwidth Product: 350 kHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 8.5 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 23.46 грн |
5000+ | 21.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCS20092DR2G onsemi
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Output Type: Rail-to-Rail, Mounting Type: Surface Mount, Amplifier Type: General Purpose, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Current - Supply: 23µA (x2 Channels), Slew Rate: 0.15V/µs, Gain Bandwidth Product: 350 kHz, Current - Input Bias: 1 pA, Voltage - Input Offset: 500 µV, Supplier Device Package: 8-SOIC, Number of Circuits: 2, Current - Output / Channel: 8.5 mA, Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V, Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V.
Інші пропозиції NCS20092DR2G за ціною від 20.56 грн до 64.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCS20092DR2G | Виробник : ON Semiconductor | Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : ON Semiconductor | Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : onsemi | Operational Amplifiers - Op Amps R2R IO DUAL AMPLIFIE |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Output Type: Rail-to-Rail Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Supply: 23µA (x2 Channels) Slew Rate: 0.15V/µs Gain Bandwidth Product: 350 kHz Current - Input Bias: 1 pA Voltage - Input Offset: 500 µV Supplier Device Package: 8-SOIC Number of Circuits: 2 Current - Output / Channel: 8.5 mA Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V |
на замовлення 7323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : ON Semiconductor | Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NCS20092DR2G | Виробник : ON Semiconductor | Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |