Продукція > ONSEMI > NCP5183DR2G
NCP5183DR2G

NCP5183DR2G ONSEMI

2290240.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+135.7 грн
500+ 95.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCP5183DR2G ONSEMI

Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NCP5183DR2G за ціною від 88.97 грн до 211.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ONSEMI 2290240.pdf Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.3A
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+193.41 грн
10+ 165.34 грн
100+ 135.7 грн
500+ 95.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5183-d.pdf Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.7 грн
10+ 177.67 грн
25+ 167.37 грн
100+ 137 грн
250+ 114.79 грн
500+ 106.49 грн
1000+ 88.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : onsemi NCP5183_D-2317056.pdf Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.77 грн
10+ 181.49 грн
25+ 148.78 грн
100+ 124.44 грн
250+ 111.23 грн
500+ 106.37 грн
1000+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : onsemi ncp5183-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.57 грн
10+ 181.92 грн
25+ 171.95 грн
100+ 132.69 грн
250+ 119.06 грн
500+ 114.76 грн
1000+ 93.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5183-d.pdf Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+211.83 грн
63+ 191.34 грн
67+ 180.25 грн
100+ 147.54 грн
250+ 123.63 грн
500+ 114.69 грн
1000+ 95.81 грн
Мінімальне замовлення: 57
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ONSEMI ncp5183-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Case: SO8
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Supply voltage: 9...18V DC
Output current: -4.3...4.3A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5183-d.pdf Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5183-d.pdf Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : onsemi ncp5183-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NCP5183DR2G NCP5183DR2G Виробник : ONSEMI ncp5183-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver
Case: SO8
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Supply voltage: 9...18V DC
Output current: -4.3...4.3A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side
товар відсутній