![NCP51560BBDWR2G NCP51560BBDWR2G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE16WSOIC-40.jpg)
NCP51560BBDWR2G ONSEMI
![3791036.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 165.84 грн |
500+ | 147.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP51560BBDWR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 38ns, Ausgabeverzögerung: 38ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NCP51560BBDWR2G за ціною від 128.62 грн до 318.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NCP51560BBDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NCP51560BBDWR2G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NCP51560BBDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4.5A, 9A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: CQC, UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCP51560BBDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NCP51560BBDWR2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4.5A, 9A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: CQC, UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V |
товар відсутній |