Продукція > ONSEMI > NCP5106ADR2G
NCP5106ADR2G

NCP5106ADR2G onsemi


ncp5106-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.26 грн
5000+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NCP5106ADR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 100ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NCP5106ADR2G за ціною від 35.53 грн до 97.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.76 грн
5000+ 39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.74 грн
5000+ 42.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : onsemi NCP5106_D-2316968.pdf Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
на замовлення 15803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.41 грн
10+ 78.11 грн
100+ 50.96 грн
500+ 49.01 грн
1000+ 36.92 грн
2500+ 35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ONSEMI 2290238.pdf Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.49 грн
10+ 81.11 грн
50+ 69.25 грн
100+ 53.3 грн
250+ 48.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : onsemi ncp5106-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.76 грн
10+ 83.86 грн
25+ 79.57 грн
100+ 57.35 грн
250+ 50.68 грн
500+ 48.01 грн
1000+ 36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCP5106ADR2G ncp5106-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NCP5106ADR2G
Код товару: 192309
ncp5106-d.pdf Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товар відсутній
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ONSEMI ncp5106-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 160ns
Pulse fall time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Виробник : ONSEMI ncp5106-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -500÷250mA
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -500...250mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 160ns
Pulse fall time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
товар відсутній