на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.02 грн |
| 10+ | 108.73 грн |
| 100+ | 75.78 грн |
| 500+ | 70.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0602N-S19-AY Renesas Electronics
Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції N0602N-S19-AY за ціною від 110.74 грн до 205.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
N0602N-S19-AY | Виробник : RENESAS |
 Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| N0602N-S19-AY | Виробник : Renesas Electronics America |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
товар відсутній |