![N0436N-ZK-E1-AY N0436N-ZK-E1-AY](https://www.mouser.com/images/renesas/lrg/TO-252_DSL.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.06 грн |
10+ | 156 грн |
100+ | 108.24 грн |
250+ | 104.02 грн |
500+ | 91.37 грн |
1000+ | 78.02 грн |
3000+ | 73.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0436N-ZK-E1-AY Renesas Electronics
Description: ABU / MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0436N-ZK-E1-AY за ціною від 87.87 грн до 197.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
N0436N-ZK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 2867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
N0436N-ZK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 87.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
товар відсутній |