Технічний опис MWI50-06A7T IXYS
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції MWI50-06A7T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MWI50-06A7T | Виробник : IXYS | 75A/600V/MOSFET |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MWI50-06A7T | Виробник : IXYS | A3-2 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MWI50-06A7T | Виробник : IXYS | MODULE |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MWI50-06A7T | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 600V 72A 225W E2 Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
товар відсутній |