MWI25-12A7T IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Power dissipation: 225W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: E2-Pack
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MWI25-12A7T IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 35A, Pulsed collector current: 70A, Application: motors, Power dissipation: 225W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: NPT, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Case: E2-Pack, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MWI25-12A7T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MWI25-12A7T | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2 |
товар відсутній |
||
 |
MWI25-12A7T | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 25 Amps 1200V |
товар відсутній |
|
| MWI25-12A7T | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Pulsed collector current: 70A Application: motors Power dissipation: 225W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: E2-Pack |
товар відсутній |