MW7IC2425NBR1 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MW7IC2425NBR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 25W, Gain: 27.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-16, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 55 mA.
Інші пропозиції MW7IC2425NBR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MW7IC2425NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.45GHz Power - Output: 25W Gain: 27.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 55 mA |
товар відсутній |
|
 |
MW7IC2425NBR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G |
товар відсутній |