![MW7IC2425NBR1 MW7IC2425NBR1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/11/11/9/58/48/888663/phi_/manual/sot1727-1_3d.jpg)
MW7IC2425NBR1 NXP Semiconductors
![112377117014088mw7ic2425n.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MW7IC2425NBR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.45GHz, Power - Output: 25W, Gain: 27.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-272 WB-16, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 55 mA.
Інші пропозиції MW7IC2425NBR1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MW7IC2425NBR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.45GHz Power - Output: 25W Gain: 27.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 55 mA |
товар відсутній |
|
![]() |
MW7IC2425NBR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |