MW6S010GNR1 NXP
Виробник: NXP
Description: NXP - MW6S010GNR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MW6S010GNR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MW6S010GNR1 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270BA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 960MHz, Power - Output: 10W, Gain: 18dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2 GULL, Part Status: Active, Voltage - Rated: 68 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 125 mA.
Інші пропозиції MW6S010GNR1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MW6S010GNR1 Код товару: 89317 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
MW6S010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товару немає в наявності |
||
MW6S010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товару немає в наявності |
||
MW6S010GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
товару немає в наявності |
||
MW6S010GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA |
товару немає в наявності |
||
MW6S010GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 900MHZ 10W |
товару немає в наявності |