![MURS160HE3_A/I MURS160HE3_A/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2577/MFG_488%7E403A-03%7EB%2C%20S%7E2.jpg)
MURS160HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![murs140.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3200+ | 11.57 грн |
6400+ | 10.57 грн |
9600+ | 9.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURS160HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції MURS160HE3_A/I за ціною від 9.34 грн до 37.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURS160HE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURS160HE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURS160HE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURS160HE3_A/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |