![MURS160-M3/5BT MURS160-M3/5BT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2577/MFG_488%7E403A-03%7EB%2C%20S%7E2.jpg)
MURS160-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![murs140.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.4 грн |
13+ | 22.43 грн |
100+ | 13.44 грн |
500+ | 11.68 грн |
1000+ | 7.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURS160-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MURS160-M3/5BT за ціною від 9.34 грн до 31.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURS160-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MURS160-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
MURS160-M3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
MURS160-M3/5BT | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
MURS160-M3/5BT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.05V Mounting: SMD Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 0.15mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AA; SMB Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.05V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
MURS160-M3/5BT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; DO214AA,SMB; Ufmax: 1.05V Mounting: SMD Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 35A Leakage current: 0.15mA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AA; SMB Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.05V |
товар відсутній |