![MURD620CTT4G MURD620CTT4G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1069/DPAK_369C.jpg)
MURD620CTT4G onsemi
![murd620ct-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.15 грн |
5000+ | 17.47 грн |
12500+ | 16.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURD620CTT4G onsemi
Description: ONSEMI - MURD620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.13 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.13V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURD6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MURD620CTT4G за ціною від 16.19 грн до 54.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 262500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 262500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.13V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.13V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURD6 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 17443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 14823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MURD620CTT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURD620CTT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURD620CTT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURD620CTT4G | Виробник : OnSemi |
![]() |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURD620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |