![MURB1660CTT4G MURB1660CTT4G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO26305-40.jpg)
MURB1660CTT4G ONSEMI
![murb1660ct-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MURB1660CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.5 V, 60 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 60ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 100A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1.5V
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 136.03 грн |
500+ | 111.07 грн |
800+ | 88.45 грн |
1600+ | 86.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURB1660CTT4G ONSEMI
Description: DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MURB1660CTT4G за ціною від 63.14 грн до 168.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURB1660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 22896 шт: термін постачання 423-432 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1660CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: 60ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 100A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 1.5V hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MURB1660CTT4G Код товару: 126340 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
MURB1660CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURB1660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURB1660CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |