![MURB1620CTT4G MURB1620CTT4G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e837d3c39e2bf0f3c733378c5c6f7aecad0c218f/to-263.jpg)
MURB1620CTT4G ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 48.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MURB1620CTT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MURB1620CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 975 mV, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 975mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MURB1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MURB1620CTT4G за ціною від 39.54 грн до 113.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 975mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.895V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 975mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: MURB1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 4149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8Ax2; 35ns; D2PAK; Ufmax: 895mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A x2 Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.895V Max. load current: 16A Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 796 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MURB1620CTT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MURB1620CTT4G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURB1620CTT4G | Виробник : on |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MURB1620CTT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |