![MUR8100EG MUR8100EG](https://www.mouser.com/images/onsemiconductor/lrg/to220-2.jpg)
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.72 грн |
10+ | 104.19 грн |
100+ | 75.27 грн |
500+ | 63.14 грн |
1050+ | 54.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR8100EG onsemi
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1kV, Load current: 8A, Max. load current: 16A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 100A, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 1.5V, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Reverse recovery time: 100ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MUR8100EG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUR8100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MUR8100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
MUR8100EG |
![]() |
товар відсутній |
|||
![]() |
MUR8100EG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.5V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 100ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
MUR8100EG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MUR8100EG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 8A Max. load current: 16A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 100A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.5V Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 100ns |
товар відсутній |