MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3593.24 грн |
| 10+ | 3069.06 грн |
| 25+ | 2436.81 грн |
| 52+ | 2376.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MUR2X060A06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MUR2X060A06 | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товар відсутній |