![MUR20020CTR MUR20020CTR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e1557ef49451c6be476dcb63a4b024122fefaa78/twin-tower.jpg)
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 10535.2 грн |
3+ | 10445.84 грн |
5+ | 9188.92 грн |
10+ | 8214.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції MUR20020CTR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MUR20020CTR | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MUR20020CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
MUR20020CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товар відсутній |
||
![]() |
MUR20020CTR | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |