MUR20005CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR20005CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції MUR20005CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MUR20005+CT |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| MUR20005CT |
 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MUR20005CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 100A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товар відсутній |