на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 351+ | 34.7 грн |
| 507+ | 24.04 грн |
| 512+ | 23.79 грн |
| 660+ | 17.79 грн |
| 1000+ | 16.24 грн |
| 3000+ | 15.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR1100ERLG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, Sperrverzögerungszeit: 100ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MUR11, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUR1100ERLG за ціною від 12.63 грн до 58.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUR1100ERLG | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIALPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUR1100ERLG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Case: CASE59 Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 35A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUR1100ERLG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.75V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MUR11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MUR1100ERLG | Виробник : onsemi |
Rectifiers 1000V 1A UltraFast |
на замовлення 48087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MUR1100ERLG | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns Case: CASE59 Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 35A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor |
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,75; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 100; Тексп, °C = -65...+175; DO-41 |
на замовлення 869 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
MUR1100ERLG Код товару: 31325 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-35 Vrr, V: 1000 V Iav, A: 1 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
 |
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MUR1100ERLG | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MUR1100ERLG | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товар відсутній |