![MUR1100EG MUR1100EG](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/42751724.jpg)
MUR1100EG ONSEMI
![ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 46.56 грн |
21+ | 38.84 грн |
100+ | 24.33 грн |
500+ | 19.77 грн |
1000+ | 13.1 грн |
5000+ | 12.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR1100EG ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MUR11, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MUR1100EG за ціною від 18.35 грн до 62.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MUR1100EG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1100EG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR1100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MUR1100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MUR1100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MUR1100EG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |