MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6779.66 грн |
| 10+ | 5785.02 грн |
| 25+ | 4957.35 грн |
| 40+ | 4956.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUR10020CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції MUR10020CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MUR10020CT | Виробник : IXYS |
 MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MUR10020CT | Виробник : IXYS |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| MUR10020CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 100A 75ns 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
||
| MUR10020CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |