Продукція > ONSEMI > MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G

MUN5333DW1T1G onsemi

dtc143zp-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12851+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 12851
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5333DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5333DW1T1G за ціною від 1.87 грн до 23.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.71 грн
45000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4144+2.91 грн
45000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 4144
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3938+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3938
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.69 грн
3000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1759+6.85 грн
1830+ 6.59 грн
1873+ 6.44 грн
2509+ 4.63 грн
3563+ 3.02 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 1759
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.15 грн
46+ 13.07 грн
106+ 5.67 грн
1000+ 3.95 грн
3000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 29970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.94 грн
42+ 14.35 грн
45+ 13.52 грн
100+ 6.14 грн
250+ 5.46 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.82 грн
3000+ 2.69 грн
6000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 28
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0012626285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5333DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.16 грн
49+ 16.14 грн
114+ 6.86 грн
500+ 3.69 грн
3000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : onsemi DTC143ZP_D-2310823.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
на замовлення 35840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.36 грн
20+ 16.23 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 3.96 грн
3000+ 3.41 грн
9000+ 2.64 грн
24000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5333DW1T1G Виробник : ON-Semicoductor dtc143zp-d.pdf Transistor PNP/NPN; Bipolarny; 50V; 10V; 4,7kOhm; 100mA; 187mW; -55°C ~ 150°C; MUN5333DW1T1G TMUN5333dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 300
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : onsemi dtc143zp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : onsemi dtc143zp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc143zp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MUN5333DW1T1G MUN5333DW1T1G Виробник : ONSEMI dtc143zp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній