MUN5314DW1T1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5314DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5314DW1T1G за ціною від 1.65 грн до 17.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : onsemi | Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 80717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 73967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
TRANS 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V MUN5314DW1T1G ON SEMI TMUN5314dw кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MUN5314DW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |