MUN5312DW1T2G ON Semiconductor
на замовлення 416982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 442+ | 1.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5312DW1T2G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції MUN5312DW1T2G за ціною від 1.91 грн до 21.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MUN5312DW1T2G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MUN5312DW1T2G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 17980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5312DW1T2G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP |
на замовлення 4695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MUN5312DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MUN5312DW1T2G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |