MUN5235DW1T1G

MUN5235DW1T1G ON Semiconductor


dtc123jd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5235DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5235DW1T1G за ціною від 1.53 грн до 19.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.42 грн
9000+ 1.87 грн
24000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.46 грн
9000+ 2.07 грн
24000+ 1.84 грн
45000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.68 грн
9000+ 2.23 грн
24000+ 2.08 грн
45000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.75 грн
6000+ 2.46 грн
9000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4179+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4179
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3827+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3827
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2646+4.56 грн
2670+ 4.52 грн
3695+ 3.26 грн
3808+ 3.05 грн
6000+ 2.73 грн
15000+ 2.54 грн
30000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 2646
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123jd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+11.45 грн
58+ 10.31 грн
70+ 8.57 грн
140+ 4.12 грн
250+ 3.78 грн
500+ 3.59 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 2.52 грн
6000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 53
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi dtc123jd-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.79 грн
27+ 10.79 грн
100+ 5.28 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : onsemi DTC123JD_D-2311149.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 21665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.36 грн
27+ 11.91 грн
100+ 4.24 грн
1000+ 2.99 грн
3000+ 2.29 грн
9000+ 1.95 грн
24000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI 1813819.pdf Description: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+19.19 грн
60+ 13.18 грн
150+ 5.22 грн
500+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 41
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5235DW1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MUN5235DW1T1G MUN5235DW1T1G Виробник : ONSEMI MUN5235DW1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній