Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5233T1G
MUN5233T1G

MUN5233T1G ON Semiconductor

dtc143z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5233T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MUN5233T1G за ціною від 1.25 грн до 13.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.1 грн
6000+ 1.92 грн
9000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ONSEMI MUN5233.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+3.03 грн
193+ 1.88 грн
500+ 1.67 грн
589+ 1.45 грн
1619+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 129
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ONSEMI MUN5233.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+3.63 грн
116+ 2.35 грн
500+ 2 грн
589+ 1.74 грн
1619+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 78
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 13880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.03 грн
36+ 8.26 грн
100+ 4.48 грн
500+ 3.3 грн
1000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : onsemi DTC143Z_D-2310985.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 41090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.82 грн
37+ 8.71 грн
100+ 3.34 грн
1000+ 1.95 грн
3000+ 1.53 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013796082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+13.34 грн
82+ 9.51 грн
188+ 4.15 грн
500+ 3.77 грн
Мінімальне замовлення: 59
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5233T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000224346-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5233T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 201272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
MUN5233T1G MUN5233T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143z-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній