Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MUN5230T1G
MUN5230T1G

MUN5230T1G ON Semiconductor

dtc113e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN5230T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції MUN5230T1G за ціною від 1.88 грн до 20.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.68 грн
6000+ 2.65 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4202+2.88 грн
6000+ 2.84 грн
9000+ 2.29 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 4202
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.21 грн
6000+ 2.87 грн
9000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 29129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.85 грн
23+ 12.63 грн
100+ 6.16 грн
500+ 4.82 грн
1000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : onsemi DTC113E_D-2310891.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 18512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.41 грн
24+ 13.87 грн
100+ 4.95 грн
1000+ 3.28 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.02 грн
24000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
MUN5230T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000248330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5230T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN5230T1G MUN5230T1G Виробник : ON Semiconductor dtc113e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній