MTP2P50EG

MTP2P50EG ON Semiconductor


mtp2p50e-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MTP2P50EG ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1183 pF @ 25 V.

Інші пропозиції MTP2P50EG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MTP2P50EG MTP2P50EG Виробник : onsemi mtp2p50e-d.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1183 pF @ 25 V
товар відсутній
MTP2P50EG MTP2P50EG Виробник : onsemi MTP2P50E_D-2316166.pdf MOSFET 500V 2A P-Channel
товар відсутній