MT53E2G32D4DE-046 AAT:C MICRON
Виробник: MICRONDescription: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6057.42 грн |
| 5+ | 5330.56 грн |
| 10+ | 5228.39 грн |
| 25+ | 4759.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E2G32D4DE-046 AAT:C MICRON
Description: MICRON - MT53E2G32D4DE-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 2133 MHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2133MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 2G x 32 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | Виробник : Micron Technology | LPDDR4 64G 2GX32 FBGA |
товар відсутній |
||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT:C | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: LPDDR4 64G 2GX32 FBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 2G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |