MT53E256M32D2DS-046 AUT:B MICRON
Виробник: MICRONDescription: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: WFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 468ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1726.98 грн |
| 5+ | 1658.18 грн |
| 10+ | 1572.97 грн |
| 25+ | 1420.69 грн |
| 50+ | 1257.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E256M32D2DS-046 AUT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: WFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 8Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 468ps, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MT53E256M32D2DS-046 AUT:B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Виробник : Micron Technology |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 Automotive AEC-Q100 200-Pin WFBGA Tray |
товар відсутній |
||
 |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Виробник : Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
товар відсутній |
|
 |
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Виробник : Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT |
товар відсутній |