MT53E1G64D4HJ-046 WT:C MICRON
Виробник: MICRONDescription: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: TFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 468ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 556Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 0
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4033.05 грн |
| 5+ | 3847.1 грн |
| 10+ | 3610.42 грн |
| 25+ | 3188.09 грн |
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Технічний опис MT53E1G64D4HJ-046 WT:C MICRON
Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: TFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 64Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 468ps, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 556Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 0, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MT53E1G64D4HJ-046 WT:C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA |
товар відсутній |