на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3342.1 грн |
| 10+ | 3055.04 грн |
| 25+ | 2497.97 грн |
| 50+ | 2377.41 грн |
| 100+ | 2128.4 грн |
| 1000+ | 2003.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AIT:C Micron
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 32, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AIT:C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Виробник : Micron Technology |
 DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||
| MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Виробник : Micron Technology |
LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA |
товар відсутній |
||
 |
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товар відсутній |