MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR Micron Technology
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR Micron Technology
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 200-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5), Grade: Automotive, Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.5 ns, Memory Organization: 1G x 32, DigiKey Programmable: Not Verified, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Виробник : Micron Technology |
 DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||
 |
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|
| MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR | Виробник : Micron |
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP |
товару немає в наявності |