MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Memory Organization: 512M x 64
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Size: 32Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Memory Organization: 512M x 64
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Memory Size: 32Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -30°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.1V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 2.133 GHz, Memory Format: DRAM, Memory Organization: 512M x 64, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR | Виробник : Micron | DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP |
товару немає в наявності |