MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Виробник: Texas Instruments8-bit Memory IC; 64Mb-SDRAM; 1,7~1,9V; -40~95°C; MT47H64M8SH-25E:H; MT47H64M8CF-25E:G; MT47H64M8SH-25E IT:H PSD47H64m8sh25eith
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 1137.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT47H64M8SH-25E IT:H Texas Instruments
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції MT47H64M8SH-25E IT:H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MT47H64M8SH-25EIT:H | Виробник : Micron |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MT47H64M8SH-25E IT:H | Виробник : Micron Technology Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Packaging: Bulk Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-FBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||
 |
MT47H64M8SH-25E IT:H | Виробник : Micron |
DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA |
товар відсутній |