![MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8EB-25E:C](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2608/MT47H256M8EB-25E%20C.jpg)
MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.
![MT47H512M4_256M8_128M16_RevJ_2018.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-FBGA (9x11.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1008.68 грн |
10+ | 899.02 грн |
25+ | 886.79 грн |
40+ | 821.76 грн |
80+ | 720.15 грн |
230+ | 689.27 грн |
440+ | 673.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT47H256M8EB-25E:C за ціною від 641.16 грн до 1179.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT47H256M8EB-25E:C | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT47H256M8EB-25E:C | Виробник : MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MT47H256M8EB-25EC |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MT47H256M8EB-25E:C | Виробник : Micron |
![]() |
на замовлення 6240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
MT47H256M8EB-25E:C | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MT47H256M8EB-25E:C | Виробник : Micron Technology |
![]() |
товар відсутній |