Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > MT3S113TU,LF
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.61 грн
10+ 37.81 грн
25+ 34.14 грн
100+ 28.02 грн
250+ 24.59 грн
500+ 21.73 грн
1000+ 16.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 900mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V, Frequency - Transition: 11.2GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Supplier Device Package: UFM.

Інші пропозиції MT3S113TU,LF за ціною від 15.62 грн до 49.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Виробник : Toshiba MT3S113TU_datasheet_en_20140301-1316018.pdf RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.84 грн
10+ 44 грн
100+ 26.09 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 18.52 грн
3000+ 16.76 грн
6000+ 15.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
MT3S113TU,LF MT3S113TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2086&prodName=MT3S113TU Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товар відсутній