![MT3S111(TE85L,F) MT3S111(TE85L,F)](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SC59-40.jpg)
MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA
![3622413.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 28.89 грн |
500+ | 22.39 грн |
1000+ | 18.66 грн |
5000+ | 16.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції MT3S111(TE85L,F) за ціною від 15.07 грн до 54.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MT3S111(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active |
товар відсутній |