MT29F2G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.79 грн |
| 10+ | 219.96 грн |
| 25+ | 215.17 грн |
| 50+ | 200.84 грн |
| 100+ | 180.08 грн |
| 250+ | 179.42 грн |
| 500+ | 170.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MT29F2G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc.
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s), tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: SLC-NAND, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 2Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 16ns, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 50MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 63Pin(s), Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MT29F2G08ABAEAH4:E за ціною від 156.11 грн до 380.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MT29F2G08ABAEAH4:E | Виробник : MICRON |
 Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MT29F2G08ABAEAH4:E | Виробник : Micron |
NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA M69A |
на замовлення 11010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MT29F2G08ABAEAH4:E |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
MT29F2G08ABAEAH4:E | Виробник : Micron Technology |
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MT29F2G08ABAEAH4:E | Виробник : Micron Technology |
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MT29F2G08ABAEAH4:E | Виробник : Micron Technology | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray |
товар відсутній |