Технічний опис MSR860G ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції MSR860G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MSR860G | Виробник : ON SEMI |
![]() |
на замовлення 35210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
MSR860G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MSR860G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|
![]() |
MSR860G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |