![MSE1PJHM3/89A MSE1PJHM3/89A](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/7/21/19/716/vsh_/manual/88486-pt-medium.jpg)
MSE1PJHM3/89A Vishay
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4500+ | 3.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PJHM3/89A Vishay
Description: VISHAY - MSE1PJHM3/89A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MicroSMP, Durchlassstoßstrom: 20A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 780ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції MSE1PJHM3/89A за ціною від 2.64 грн до 26.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1413000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AD Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 58500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1413000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 58500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMP Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 780ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 35334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AD Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 65491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMP Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 780ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MSE1PJHM3/89A | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
MSE1PJHM3/89A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 780ns; DO219AD; Ufmax: 0.98V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 780ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 5pF Case: DO219AD Max. forward voltage: 0.98V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
MSE1PJHM3/89A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 780ns; DO219AD; Ufmax: 0.98V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 780ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 5pF Case: DO219AD Max. forward voltage: 0.98V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |