Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > MSE1PBHM3/I
MSE1PBHM3/I

MSE1PBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

mse1pj.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.61 грн
10+ 102.28 грн
100+ 79.77 грн
500+ 61.84 грн
1000+ 50.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSE1PBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: MicroSMP, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.

Інші пропозиції MSE1PBHM3/I за ціною від 3.1 грн до 3.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSE1PBHM3/I Виробник : Vishay mse1pj.pdf Diode Switching 100V 1A Automotive 2-Pin Micro SMP T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+3.1 грн
Мінімальне замовлення: 16000
MSE1PBHM3/I MSE1PBHM3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pj.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
товар відсутній