![MSE1PBHM3/I MSE1PBHM3/I](https://media.digikey.com/Photos/Vishay%20Genreral%20Semi%20Photos/MFG_MicroSMP(DO-219AD)_Top.jpg)
MSE1PBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![mse1pj.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 780 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 15360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.61 грн |
10+ | 102.28 грн |
100+ | 79.77 грн |
500+ | 61.84 грн |
1000+ | 50.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSE1PBHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A MICROSMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: MicroSMP, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 780 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції MSE1PBHM3/I за ціною від 3.1 грн до 3.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSE1PBHM3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
MSE1PBHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: MicroSMP Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 780 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
товар відсутній |