MSCSM70TAM10CTPAG

MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology


1244938-mscsm70tam10ctpag-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W, Case: SP6P, Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 476A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 189A, On-state resistance: 9.5mΩ, Power dissipation: 674W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MSCSM70TAM10CTPAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM70TAM10CTPAG Виробник : Microchip Technology g_triple_phase_leg_sic_mosfet_power_module_datasheet_1.0.pdf Triple Phase Leg SiC MOSFET Power Module
товар відсутній
MSCSM70TAM10CTPAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244938-mscsm70tam10ctpag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W
Case: SP6P
Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor
Pulsed drain current: 476A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 189A
On-state resistance: 9.5mΩ
Power dissipation: 674W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MSCSM70TAM10CTPAG MSCSM70TAM10CTPAG Виробник : Microchip Technology 1244938-mscsm70tam10ctpag-datasheet Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
товар відсутній
MSCSM70TAM10CTPAG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1244938-mscsm70tam10ctpag-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 700V; 189A; SP6P; Press-in PCB; 674W
Case: SP6P
Topology: MOSFET half-bridge x3 + parrallel diodes; NTC thermistor
Pulsed drain current: 476A
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 189A
On-state resistance: 9.5mΩ
Power dissipation: 674W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
товар відсутній