MSCSM170AM058CD3AG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 84615.8 грн |
100+ | 63118.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM170AM058CD3AG Microchip Technology
Description: SIC 2N-CH 1700V 353A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N Channel (Phase Leg), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1.642kW (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19800pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 180A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 15mA.
Інші пропозиції MSCSM170AM058CD3AG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MSCSM170AM058CD3AG | Виробник : Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 |
товару немає в наявності |
||
MSCSM170AM058CD3AG | Виробник : Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 |
товару немає в наявності |
||
MSCSM170AM058CD3AG | Виробник : Microchip Technology |
Description: SIC 2N-CH 1700V 353A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N Channel (Phase Leg) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1.642kW (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 353A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19800pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 180A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1068nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 15mA |
товару немає в наявності |