![MSCSM120HM16CT3AG MSCSM120HM16CT3AG](https://media.digikey.com/Photos/Microchip Tech Photos/MSCSM120HM16CT3AG-(primary).jpg)
MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 39466.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCSM120HM16CT3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB, Case: SP3F, Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor, Pulsed drain current: 350A, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 138A, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 745W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSCSM120HM16CT3AG за ціною від 28346.93 грн до 40900.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||
MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
MSCSM120HM16CT3AG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB Case: SP3F Topology: H bridge + parrallel diodes; NTC thermistor Pulsed drain current: 350A Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC |
товар відсутній |