Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > MSCSM120DDUM16CTBL3NG

MSCSM120DDUM16CTBL3NG Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: SIC 4N-CH 1200V 150A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 560W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 2mA
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+42252.23 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSCSM120DDUM16CTBL3NG Microchip Technology

Description: SIC 4N-CH 1200V 150A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel, Common Source, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 560W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 2mA, Part Status: Active.

Інші пропозиції MSCSM120DDUM16CTBL3NG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSCSM120DDUM16CTBL3NG Виробник : Microchip Technology PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
товару немає в наявності
MSCSM120DDUM16CTBL3NG MSCSM120DDUM16CTBL3NG Виробник : Microchip Technology MSCSM120DDUM16CTBL3NG-2528972.pdf Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
товару немає в наявності