![MSCM20XM10T3XG MSCM20XM10T3XG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2817/MSCC60AM23C4AG.jpg)
MSCM20XM10T3XG Microchip Technology
![00003052b.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 341W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SP3X
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18887.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSCM20XM10T3XG Microchip Technology
Description: MOSFET 6N-CH 200V 108A SP3X, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 341W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SP3X, Part Status: Active.
Інші пропозиції MSCM20XM10T3XG за ціною від 15077.76 грн до 20591.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MSCM20XM10T3XG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 294-303 дні (днів) |
|
||||||
MSCM20XM10T3XG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 84A; SP3X; SiC; screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET three-phase bridge Case: SP3X Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A On-state resistance: 10mΩ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
MSCM20XM10T3XG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 200V; 84A; SP3X; SiC; screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET three-phase bridge Case: SP3X Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 84A On-state resistance: 10mΩ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |